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如何在晶圆减薄机上提升砷化镓的TTV？
一、设备硬件与精度校准

1、主轴与旋转台：气浮 / 磁悬浮主轴径向跳动 ≤0.2μm、轴向 ≤0.1μm；气浮承载台平面度 ≤5μm、径向跳动 ≤2μm，抑制振动与偏摆。

2、Z轴与定位：直线电机+光栅尺，分辨率 0.0005mm、重复定位 ≤0.5μm；主轴 -- 承载台平行度校准至 ≤0.01°，避免倾斜导致的TTV偏差。

3、在线测厚：NCG测厚（精度 0.1μm，采样 2ms/次），实时反馈厚度与TTV，为闭环补偿提供依据。IPG测厚，精度1um，采样时间可根据程序设定来调整。

4、平衡与校准：主轴动平衡至 G0.4级，减少高速振动；每班次校验测厚系统，确保长期稳定。

二、工艺参数分段优化

1、分段研磨：粗磨（5-10μm/s，高去除率）→精磨（0.1-0.5μm/s，控TTV）→软磨/抛光（低应力，降损伤），避免应力集中与表面损伤。

2、压力控制：分区压力均匀分布，边缘压力降低 10%-20%，减少边缘崩边与翘曲；精磨阶段压力 ≤0.1MPa，抑制变形。

3、转速匹配：主轴/承载台转速比 2:1~3:1，保证研磨轨迹均匀，降低局部过磨；精磨转速降低 20%-30%，提升均匀性。

4、冷却与温控：冷却流量稳定，温度 23±0.1℃，减少热变形；砷化镓导热差，避免磨削热积聚导致的热应力。